超导体-绝缘体转变的高场侧
超导电性
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
我们报道了在超薄 TiN 薄膜中实验观测到的磁场调谐超导体-绝缘体转变（SIT）。这些薄膜的低温输运性质表现出与二维超导体中由量子相位涨落驱动的转变相一致的标度行为。磁阻在高于临界场的磁场下呈现出峰值及随后的下降。我们分析了 SIT 高场侧等磁场电阻数据的温度依赖性，并发现了从绝缘相到金属相的转变，且在高温场下电阻的零温渐近值等于 。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210250,
title = {High-field side of Superconductor-Insulator Transition},
author = {Tatyana I. Baturina and D. R. Islamov and Z. D. Kvon and M. R. Baklanov and A. Satta},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210250},
year = {2007}
}
备注
Submitted to LT23 Proceedings