无序氮化钽薄膜中从超导体到弱绝缘体的转变

我们研究了氮化钽薄膜中的二维超导体-绝缘体转变(SIT)。在零磁场下，通过调整薄膜厚度和化学计量比，可以利用无序调谐使薄膜跨越SIT；绝缘薄膜表现出经典跳跃输运。超导薄膜表现出磁场调谐的SIT，其高场下的绝缘基态似乎是一种量子修正金属。磁场调谐SIT的标度行为显示出经典渗流临界指数 $z \nu \approx$ 1.3，相应的临界场 $H_c \ll H_{c2}$。霍尔效应在 $H_c$ 附近显示出交叉点，但具有非通用临界值 $\rho_{xy}^c$，该值与正常态霍尔电阻率相当。我们提出，高载流子密度金属在超导与（平庸）绝缘基态的边界处总是会表现出这种行为模式。