无序驱动的$d$波超导超薄膜超导体 - 绝缘体转变
超导电性
2013-12-04 v2
摘要
我们研究了波超导超薄膜中的超导体 - 绝缘体转变 (SIT)。通过核多项式方法,自洽求解了高达个单胞的方格点阵上的 Bogoliubov-de Gennes 方程,从而能够完整观测超导序参量的纳米尺度空间涨落,并通过广义逆参与率的晶格尺寸标度,准确区分局域化准粒子态与扩展态。研究表明,安德森局域化不能完全抑制强无序波超导体中局部超导性的发生。被完全绝缘的“海洋”隔开,少数孤立的超导“岛屿”凭借显著增强的局部超导序参量,能够在 SIT 过程中存续。因此,无序驱动的 SIT 是从波超导体到由局域化库珀对组成的玻色绝缘体的转变。与在 SIT 过程中呈现稳健单粒子能隙的波超导体不同,波超导体的光学电导率揭示了一种无隙绝缘相,其中 SIT 可通过观察随无序增加而消失的 Drude 权重来检测。
引用
@article{arxiv.1312.0367,
title = {Disorder-Driven Superconductor-Insulator Transition in d-Wave Superconducting Ultrathin Films},
author = {Long He and Jian Sun and Yun Song},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.0367},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 6 figures