二维B=0金属-绝缘体转变的离子电子数场景

T. M. Klapwijk; S. Das Sarma

doi:10.1016/S0038-1098(99)00024-1

二维B=0金属-绝缘体转变的离子电子数场景

介观与纳米尺度物理 2009-10-31 v2 无序系统与神经网络

作者: T. M. Klapwijk , S. Das Sarma

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摘要

我们依据实验数据论证，二维B=0金属-绝缘体转变（观察于Si-MOSFET 和其他二维系统中）可能是由于少数强相互作用电子，这些电子还与随机正离子杂质发生强相互作用。在绝缘体侧，电子全部与离子结合成对。而在金属侧，自由电子被结合了电子对的离子所散射，从而改变离子的原始散射势。金属侧的物理学被认为由从经典到量子传输的交叉主导，导致电阻随温度非单调变化。这种少数电子/离子场景是一种实验上可实现且可测试的情形，亦可作为二维金属-绝缘体转变的理论分析起点。

关键词

金属-绝缘体转变少量电子/离子 Si-MOSFET 经典-量子交叉电阻率

引用

@article{arxiv.cond-mat/9810349,
  title  = {A few electrons per ion scenario for the B=0 metal-insulator transition in two dimensions},
  author = {T. M. Klapwijk and S. Das Sarma},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9810349},
  year   = {2009}
}

备注

8 pages, revised version, minor changes

二维B=0金属-绝缘体转变的离子电子数场景

摘要

关键词

引用

备注

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