Scifaro

中文

硅二维电子系统中的金属-绝缘体转变与自旋自由度

强关联电子 2009-10-31 v1

作者: Tohru Okamoto , K. Hosoya , S. Kawaji , A. Yagi , A. Yutani , Y. Shiraki

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

报道了低温下在 Si-MOSFET 和 Si/SiGe 量子阱中形成的二维电子系统（2DES）中的磁输运。即使在与自旋预期完全极化的 9T 平行磁场下，n-Si/SiGe 样品也观察到电阻率的金属性温度依赖。还通过旋转样品在不同总磁场强度下研究了自旋极化与对角电阻极小值之间的关联。

关键词

金属-绝缘体转变二维电子系统自旋极化 Si-MOSFET Si/SiGe 量子阱磁输运

引用

@article{arxiv.cond-mat/9906425,
  title  = {Metal-Insulator Transition and Spin Degree of Freedom in Silicon 2D Electron Systems},
  author = {Tohru Okamoto and K. Hosoya and S. Kawaji and A. Yagi and A. Yutani and Y. Shiraki},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9906425},
  year   = {2009}
}

备注

3 pages, RevTeX, 4 eps-figures, conference paper (EP2DS-13)