平行磁场中硅基二维电子系统的玻璃化转变
强关联电子
2009-11-10 v1 无序系统与神经网络
摘要
对低频电阻噪声的研究表明，硅中二维电子系统（2DES）在金属-绝缘体转变（MIT）附近的玻璃态冻结在高达9 T的平行磁场B中持续存在。在低B下，玻璃转变密度和MIT临界密度均随B增大而增大，使得金属玻璃相（）的宽度随B增大而增大。在较高B下，当2DES自旋极化时，和不再依赖于B。我们的结果表明，电荷自由度（而非自旋自由度）是导致2DES在MIT附近发生玻璃态有序排列的原因。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302527,
title = {Glass Transition in a Two-Dimensional Electron System in Silicon in a Parallel Magnetic Field},
author = {J. Jaroszynski and Dragana Popovic and T. M. Klapwijk},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302527},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures