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二维系统中表观金属-绝缘体转变的新特性

介观与纳米尺度物理 2009-10-31 v2

作者: Y. Hanein , D. Shahar , J. Yoon , C. C. Li , D. C. Tsui , Hadas Shtrikman

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摘要

研究了 GaAs 中低密度、高迁移率二维空穴系统的低温电导率。我们明确表明，在这些系统中观察到的金属-绝缘体转变具有明确定义的临界密度 p_0c。我们还观察到，这些系统的低温电导率在很宽的密度范围内与空穴密度呈线性关系。高密度线性电导率外推到零时的密度接近临界密度。

关键词

金属-绝缘体转变二维系统空穴系统 GaAs 临界密度电导率

引用

@article{arxiv.cond-mat/9805113,
  title  = {Novel Properties of The Apparent Metal-Insulator Transition in Two-Dimensional Systems},
  author = {Y. Hanein and D. Shahar and J. Yoon and C. C. Li and D. C. Tsui and Hadas Shtrikman},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9805113},
  year   = {2009}
}

备注

4 Figures