二维空穴体系的类金属导电性
介观与纳米尺度物理
2016-08-31 v3
摘要
我们报告了GaAs中二维、变密度空穴体系的零磁场输运研究。随着密度的变化，我们首次在基于GaAs的材料中观察到从低密度下的绝缘行为到高密度下的类金属行为的交叉，其中金属行为的特点是随着温度降低电阻率大幅下降。这些结果与Kravchenko等人及其他人最近在基于Si的二维体系上的实验一致。我们表明，在金属区域，电阻率由指数温度依赖性主导，其特征温度与空穴密度成正比，并且在较低温度下似乎达到恒定值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9709184,
title = {The Metallic-Like Conductivity of a Two-Dimensional Hole System},
author = {Y. Hanein and U. Meirav and D. Shahar and C. C. Li and D. C. Tsui and Hadas Shtrikman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9709184},
year = {2016}
}
备注
Latex, 3 pages, 4 ps figures