弱局域化、孔-孔相互作用及二维“金属-绝缘体”相变

我们详细调查了高品质 GaAs-AlGaAs 二维孔系统中的金属性行为，发现低温电阻率存在量子校正。尽管密度较低 ($r_{s}>10$) 且系统高度纯净，弱局域化（通过负磁阻率观察）和弱孔-孔相互作用（导致洛伦兹常数校正）均在电阻率随温度降低而减小的所谓金属相中存在。结果表明，即便在高 $r_{s}$ 条件下，二维系统在 T=0 时也不存在金属相。