Si-MOS 结构中金属-绝缘体相变的弱场 Hall 电阻与有效载流子密度
强关联电子
2009-10-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了不同迁移率的 Si-MOS 结构中二维电子层的弱场 Hall 电压，通过金属-绝缘体相变。我们发现，在临界电荷密度金属侧附近，Hall 电压与其经典值之间存在弱偏差（约 6-20%），且该偏差与对角电阻 ρ_{xx}(T) 的显著温度依赖性无关。实验发现，迁移率最高的样品中 R_{xy} 的最小偏差伴随 ρ_{xx} 随温度变化最大（相差约 5 倍）。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9904233,
title = {Weak Field Hall Resistance and Effective Carrier Density Through Metal-Insulator Transition in Si-MOS Structures},
author = {V. M. Pudalov and G. Brunthaler and A. Prinz and G. Bauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9904233},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, RevTex