Si-MOS 金属相中的时间依赖效应：非扩散输运的证据
强关联电子
2007-05-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们发现 Si-MOS 结构在金属相中，于密度范围 6 \times n_c > n > n_c 内存在显著的虚部电导，其中 n_c 为金属-绝缘体转变的临界密度。对于高迁移率样品，相应的延迟（或超前）时间约为 0.1-10 ms，并随密度和温度降低而指数增长。在极低迁移率样品中，于 0.3 K 温度下，建立平衡电阻的时间滞后达数百秒。该延迟（超前）时间约为栅控结构总 RC 时间的 10^2-10^8 倍。这些结果证明了低密度金属相中输运的非玻尔兹曼特性。我们将该时间依赖效应归因于载流子在二维体态与局域态之间的隧穿。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9907401,
title = {Time-dependent Effects in the Metallic Phase in Si-MOS: Evidence for Non-Diffusive Transport},
author = {V. M. Pudalov and G. Brunthaler and A. Prinz and G. Bauer and B. I. Fouks},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9907401},
year = {2007}
}
备注
4 pages, RevTeX, 3 ps-figures