Si-MOS结构二维金属态中的弱局域化
介观与纳米尺度物理
2014-01-10 v1 无序系统与神经网络
摘要
研究了Si-MOS结构在二维金属态中的弱局域化引起的负磁阻效应，针对导电值在35至120e^2/h之间的高导电值进行了研究。提取的相干相位时间在10K时等于动量松弛时间，但在最低温度下几乎长达100倍。尽管如此，在所调查的温度和浓度范围内，仅出现弱的对电导的对数性修正，从而证明了由于电子-电子相互作用引起的强量子效应的不存在。根据相干相位时间的饱和效应，估计出自旋轨道散射的下限约为200ps。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9911011,
title = {Weak localization in the 2D metallic regime of Si-MOS},
author = {G. Brunthaler and A. Prinz and G. Bauer and V. M. Pudalov and E. M. Dizhur and J. Jaroszynski and P. Glod and T. Dietl},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9911011},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 3 figures, Conf. on "Localization: Disorder and Interaction in Transport Phenomena" July 29 - August 2, 1999, Hamburg, Germany