单根 InAs 纳米线中电子的一维弱局域化
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1 材料科学
摘要
我们报告了对化学合成的 InAs 纳米线在低温（2-30K）下的电子输运和磁输运测量结果。纳米线电导对温度 T 和横向磁场的依赖性均与一维（1D）弱局域化理论预测的函数形式一致。通过将磁电导数据拟合到理论，确定电子的相位相干长度为数十纳米，且具有 T-1/3 依赖性。此外，随着栅极电压增加电子密度，磁电导显示出多个一维子带中弱局域化被抑制的可能迹象。
引用
@article{arxiv.0904.2338,
title = {One-dimensional Weak Localization of Electrons in a Single InAs Nanowire},
author = {Dong Liang and Mohammed R. Sakr and Xuan P. A. Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.2338},
year = {2015}
}