InAs 纳米线中的磁输运子带谱学
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v1
摘要
我们报告了在强磁场（高达 55 T）下对 InAs 纳米线进行的磁输运测量，提供了一维电子能带结构的直接谱学证据。通过对费米能级的精确控制，观察到由朗道分裂介导的磁电导大幅调制，揭示了受限 InAs 材料的特征指纹。我们对磁能带结构的数值模拟一致地支持了实验结果，并揭示了电子受限的关键参数。
引用
@article{arxiv.1311.3206,
title = {Magneto-transport Subbands Spectroscopy in InAs Nanowires},
author = {Florian Vigneau and Vladimir Prudkovkiy and Ivan Duchemin and Walter Escoffier and Philippe Caroff and Yann-Michel Niquet and Renaud Leturcq and Michel Goiran and Bertrand Raquet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.3206},
year = {2015}
}
备注
13 Pages, 5 figures