(Ga,Mn)As在图案化GaAs(001)衬底上的生长与磁输运
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
通过在GaAs(001)衬底上制备的具有(113)A侧壁和(001)顶层的[1-10]取向脊状结构上生长(Ga,Mn)As薄膜，实现了一种具有横向受限电子和磁性质的新型(Ga,Mn)As微结构。将外延生长结构的温度和磁场依赖的磁输运数据与平面参考样品获得的数据进行比较，揭示了在单个样品上(001)和(113)A (Ga,Mn)As特有的电子和磁性质的共存。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607685,
title = {(Ga,Mn)As on patterned GaAs(001) substrates: Growth and magnetotransport},
author = {W. Limmer and J. Daeubler and M. Glunk and T. Hummel and W. Schoch and R. Sauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607685},
year = {2007}
}
备注
3 pages, 4 figures, accepted for publication in Microelectronics Journal