Ga[1-x]Mn[x]As中 annealing 相关的磁性深度轮廓
材料科学
2009-11-10 v2
摘要
我们利用偏极中子反射术研究了生长后和最佳退火处理后的Ga[1-x]Mn[x]As薄膜的深度依赖的磁性和结构性质。除了增加总磁化，退火过程还被观察到产生了更均匀的磁化分布。这两种薄膜之间的差异归因于在退火过程中，Mn原子在间隙位点上的 redistributed。我们还观察到两者在表面都存在显著的磁化耗尽现象。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311119,
title = {Annealing-Dependent Magnetic Depth Profile in Ga[1-x]Mn[x]As},
author = {B. J. Kirby and J. A. Borchers and J. J. Rhyne and S. G. E. te Velthuis and A. Hoffmann and K. V. O'Donovan and T. Wojtowicz and X. Liu and W. L. Lim and J. K. Furdyna},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311119},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures