关于 "Mn 内位扩散于 (Ga,Mn)As 中" 的评论
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
(GaMn)As 的磁性和输运性质已知受后生长退火处理的影响，普遍认为这些修改是由于 Mn 内位的扩散所致。我们指出，如果在 As 覆盖的情况下进行退火处理，则这些修饰的变化速率会显著加快。这意味着修改速率并非由扩散过程限制，而是由扩散物种的表面捕获所决定。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412006,
title = {Comment on "Mn Interstitial Diffusion in (Ga,Mn)As"},
author = {M. Adell and J. Kanski and L. Ilver and V. Stanciu and P. Svedlindh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412006},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 1 figure