氧气气氛中GaMnAs增强退火效应
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们报告了在不同气氛下GaMnAs生长后退火过程中的原位电阻率测量。当GaMnAs暴露于氧气时，观察到电阻率下降，这表明自由表面处Mn间隙原子(Mn_I)的钝化是通过氧化发生的。因此，氧气的存在可能是优化GaMnAs薄膜的重要退火条件，尤其是因为氧化似乎仅限于样品表面。在无氧气氛中退火导致电阻率增加，表明除了Mn_I的外扩散之外还存在第二种退火机制。根据我们的磁化和霍尔效应数据，该机制减少了磁性和电学活性Mn原子的数量。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409720,
title = {Enhanced annealing effect in an oxygen atmosphere on GaMnAs},
author = {M. Malfait and J. Vanacken and W. Van Roy and G. Borghs and V. V. Moshchalkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409720},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 3 figures