化学计量比对 MgB2 薄膜中氧掺入的影响
超导电性
2009-11-13 v1
摘要
研究发现，MgB2 薄膜暴露于大气气体时掺入的氧量强烈依赖于材料的化学计量比。利用卢瑟福背散射谱监测了由以下暴露引起的氧掺入变化：(a) 环境大气，(b) 潮湿大气，(c) 空气退火，以及 (d) 氧气退火。该研究调查了成分从 MgB 系统变化到 MgB 的薄膜样品。在所有这些薄膜中均观察到了显著的表面氧污染。另一方面，薄膜体内的氧含量仅在富 Mg 薄膜和暴露于潮湿大气的薄膜中显著增加。
引用
@article{arxiv.0709.4007,
title = {Effect of stoichiometry on oxygen incorporation in MgB2 thin films},
author = {R K Singh and Y Shen and R Gandikota and J M Rowell and N Newman},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.4007},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 6 figures, 1 table