应变 VOx 薄膜的生长与性质：掌握化学计量关系
强关联电子
2009-09-29 v3
摘要
我们成功地在 MgO(001) 衬底上生长了岩盐结构 VOx 薄膜。利用 18O2-RBS 确定了氧气通量下氧含量的变化情况，用 XAS 测定了钒的价态。发现上、下化学计量极限与 bulk 材料中已知的范围相似（0.8 < x < 1.3）。从 RHEED 振荡周期推断，钒和氧原子均存在约 16% 的空位（对应化学计量 VO）。这些数值与 bulk 材料的数值相似， surprisingly，表明该现象对应变较不敏感。XAS 测量显示，空位导致出现强低对称性配位场。薄膜的电导率远低于 bulk 样品的导电性，这我们认为是由于在相干应变层中 t2g 轨道间直接重叠度降低所致。电导率的温度依赖性与可变范围跳跃机制相一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301263,
title = {Growth and properties of strained VOx thin films with controlled stoichiometry},
author = {A. D. Rata and A. R. Chezan and T. Hibma and M. W. Haverkort and L. H. Tjeng and H. H. Hsieh and H. J. Lin and C. T. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301263},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 16 figures included, revised version