不同氧分压下 c 面蓝宝石上生长的纯相 VO2 薄膜的输运行为与电子结构
材料科学
2015-06-09 v1
摘要
我们在不同氧分压下于 c 面 Al2O3 衬底上生长了高度织构化的纯相 VO2 薄膜。X 射线吸收谱和光电子能谱证实，尽管沉积过程中的氧压不同，钒离子的价态是相同的。随着 O2 流速的增加，单斜相 VO2 的 [010] 晶格参数减小，与此同时，尽管这些样品中钒的价态相同，却观察到了金属 - 半导体转变 (MST) 和输运行为的显著变化。我们讨论了氧分压对 VO2 单斜结构和电子结构的影响，进而对 MST 的影响。
引用
@article{arxiv.1307.5871,
title = {Transport behavior and electronic structure of phase pure VO2 thin films grown on c-plane sapphire under different O2 partial pressure},
author = {Salinporn Kittiwatanakul and Jude Laverock and Dave Newby and Kevin E. Smith and Stuart A. Wolf and Jiwei Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.5871},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 3 figures, 1 table