应变对VO₂电子结构的影响
强关联电子
2015-05-18 v1
摘要
我们基于降维紧束缚模型进行了团簇动力学平均场理论（CTQMC）计算，以研究二氧化钒（VO₂）在低温（M₁相）和高温（金红石相）下的电子结构。受近期通过在不同取向的衬底上沉积薄膜来调控VO₂物理性质的研究启发，我们对两种相的不同几何构型进行了计算。为研究不同生长几何构型的影响，我们在模拟真实情况的三维平移不变系统中，沿金红石c轴方向对晶格参数施加了压缩和膨胀。我们的主要目标是识别控制M₁相能隙形成的机制及其对应变的依赖性。我们发现，沿金红石c轴方向压缩导致的带宽增加比Peierls成键-反成键劈裂更为重要。
引用
@article{arxiv.1005.0886,
title = {Effects of strain on the electronic structure of VO_2},
author = {Bence Lazarovits and Kyoo Kim and Kristjan Haule and Gabriel Kotliar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.0886},
year = {2015}
}