外延二氧化钒中的纳米尺度竞争相
强关联电子
2019-08-14 v1 应用物理
量子物理
摘要
关联氧化物中的相竞争提供了诱人的机遇，因为许多引人入胜的物理现象发生在相变附近。由于在近室温处存在尖锐的金属–绝缘体转变（MIT），关联二氧化钒（VO2）表现出绝缘相与金属相之间的强烈竞争，这对实际应用十分重要。然而，当涉及应变时，相边界发生强烈改变，产生复杂的相变。在此，我们报道了各向异性应变弛豫下 VO2 外延薄膜中纳米尺度 M2 相畴的出现。薄膜的相态通过多尺度探针成像，探测了单个局域畴的结构与电学性质。M1 与 M2 相的竞争演化表明晶格应变对 VO2 薄膜中 M2 Mott 相的稳定性及 MIT 的能态都起着关键作用。本研究展示了如何利用应变工程来设计相态，从而在外延 VO2 薄膜中实现纳米尺度 MIT 行为的刻意调控。
引用
@article{arxiv.1908.04774,
title = {Competing Phases in Epitaxial Vanadium Dioxide at Nanoscale},
author = {Yogesh Sharma and Martin V. Holt and Nouamane Laanait and Xiang Gao and Ilia Ivanov and Liam Collins and Changhee Sohn and Zhaoliang Liao and Elizabeth Skoropata and Sergei V. Kalinin and Nina Balke and Gyula Eres and Thomas Z. Ward and Ho Nyung Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.04774},
year = {2019}
}