LSAT (111) 衬底上 VO2 的外延生长与电学性质
材料科学
2019-06-11 v1
摘要
我们报道了通过脉冲激光沉积在 LSAT (111)（[LaAlO3]0.3[Sr2AlTaO6]0.7）衬底上合成的二氧化钒（VO2）薄膜的外延生长及其电学性质，特别是金属-绝缘体转变（MIT）。X射线衍射研究表明，VO2 薄膜与 LSAT 衬底之间的外延关系为 VO2(020)||LSAT(111) 和 VO2[001]||LSAT[11-2]。我们观察到在转变温度附近，VO2 薄膜的纵向电阻出现了显著的四个数量级的变化。我们还在转变点上下测量了不同的拉曼光谱，表明绝缘体相与金属相之间存在伴随的结构转变，这与以往的研究结果一致。
引用
@article{arxiv.1809.10748,
title = {Epitaxial Growth and Electrical Properties of VO2 on LSAT (111) substrate},
author = {Yang Liu and Shanyuan Niu and Thomas Orvis and Haimang Zhang and Han Wang and Jayakanth Ravichandran},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.10748},
year = {2019}
}
备注
14 pages, 4 figures, 1 table