二氧化钒薄膜中高度可重复的纳米尺度相共存
强关联电子
2018-02-28 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
二氧化钒（VO₂）中的金属-绝缘体转变（MIT）有潜力催生一系列颠覆性技术，包括超快数据存储、光学开关以及突破硅极限的晶体管。在应用中，VO₂ 薄膜沉积于晶体基底上，以防止体相 VO₂ 晶体在热驱动 MIT 中出现的开裂现象。MIT 附近，VO₂ 薄膜表现出金属相与绝缘相之间的纳米尺度共存，这为忆阻器、可调电容器以及光工程器件（如完美吸收体）等应用开辟了更多可能性。一般认为，相畴的形成在某种程度上受到随机过程的影响，从而导致基于纳米尺度 MIT 的器件性能不可靠。本文我们证明，在溅射 VO₂ 薄膜的热驱动 MIT 中，纳米尺度的随机性被抑制；这些薄膜 MIT 附近观测到的金属相与绝缘相畴图样以显著的重复性方式呈现。这一结果为实现可靠的纳米尺度 VO₂ 器件打开了大门。
引用
@article{arxiv.1612.00855,
title = {Highly repeatable nanoscale phase coexistence in vanadium dioxide films},
author = {T. J. Huffman and D. J. Lahneman and S. L. Wang and T. Slusar and Bong-Jun Kim and Hyun-Tak Kim and M. M. Qazilbash},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.00855},
year = {2018}
}