通过化学诱导氧迁移对VO2中金属-绝缘体转变的可逆调控
材料科学
2021-10-13 v1
摘要
金属-绝缘体转变（MIT）是由电子排斥库仑相互作用与动能的微妙竞争所诱导的一种引人入胜的关联现象，由于电阻率的剧烈变化，在电子应用方面具有巨大潜力。在此，我们展示了通过氧化学计量工程对VO2薄膜中MIT的可逆控制。通过在室温下于VO2上简便地沉积并溶解一层水溶性但氧活性的Sr3Al2O6覆盖层，氧离子可在VO2与Sr3Al2O6之间可逆迁移，导致VO2中MIT的逐渐抑制与完全恢复。氧离子的迁移由输运测量、结构表征和第一性原理计算共同证实。这种使用可水溶相邻层进行化学诱导氧迁移的方法，可用于先进电子与离子电子器件，以及研究氧化学计量对MIT的影响。
引用
@article{arxiv.2109.05270,
title = {Reversible modulation of metal-insulator transition in VO2 via chemically-induced oxygen migration},
author = {Kun Han and Hanyu Wang and Liang Wu and Yu Cao and Dong-Chen Qi and Changjian Li and Zhen Huang and Xiao Li and X. Renshaw Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.05270},
year = {2021}
}
备注
16 pages, 4 figures