二氧化钒开关中电压触发的超快金属-绝缘体相变
介观与纳米尺度物理
2013-07-16 v1 材料科学
摘要
二氧化钒（VO2）中电驱动的金属-绝缘体相变在新兴存储器件、神经计算和高速电子学中备受关注。我们报道了面外 VO2 金属-绝缘体-金属（MIM）结构的制备以及在这些两端器件中可重现的高速开关测量。我们观察到了电驱动的开/关电流比与金属-绝缘体相变期间热致电阻变化之间的明显相关性。研究还发现，在室温下，尖锐的金属-绝缘体相变可在 2 ns 内由外部电压脉冲触发，且实现的开/关比超过两个数量级，并具有良好的耐久性。
引用
@article{arxiv.1307.3774,
title = {Voltage-triggered Ultra-fast Metal-insulator Transition in Vanadium Dioxide Switches},
author = {You Zhou and Xiaonan Chen and Changhyun Ko and Zheng Yang and Chandra Mouli and Shriram Ramanathan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.3774},
year = {2013}
}