在切换电压脉冲诱导的 VO2 薄膜中观察到的突变金属-绝缘体相变
强关联电子
2009-11-11 v4
摘要
在向两端器件施加切换电压脉冲期间，于 VO2 薄膜中观察到了突变的金属-绝缘体相变（MIT）。任何超过 7.1 V 这一 MIT 阈值电压的切换脉冲，均能使器件材料有效地从绝缘体转变为金属。通过考虑所测电流响应的延迟时间和上升时间，分析了该转变的特性。随着外部负载电阻降至零，外推的 MIT 切换时间缩短至 9 ns。由于材料的不均匀性，在测量体积内金属态与绝缘态共存，因此不可能观测到关联氧化物薄膜中 MIT 的本征切换时间。这表明本征切换时间在亚纳秒量级。这种高切换速度可能源于材料中电子间的强关联效应（库仑排斥）。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0502375,
title = {Abrupt metal-insulator transition observed in VO2 thin films induced by a switching voltage pulse},
author = {Byung-Gyu Chae and Hyun-Tak Kim and Doo-Hyeb Youn and Kwang-Yong Kang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0502375},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 5 figures