基于空穴驱动 MIT 理论的莫特转变开关
强关联电子
2008-05-02 v1 材料科学
摘要
通过照射波长为 1.5 微米的红外光并施加电场（光诱导开关），改变了非均匀强关联系统 VO_2 中一级金属 - 绝缘体转变 (MIT) 的开关电压。这一现象在空穴驱动 MIT 理论中得到了预测，该理论认为向导带（费米面）注入低于 0.01% 的低浓度空穴会作为关联效应诱发突变的 MIT。该开关现象由莫特转变而非佩尔斯转变解释。
引用
@article{arxiv.0804.2314,
title = {Switching of the Mott transition based on the hole-driven MIT theory},
author = {Hyun-Tak Kim and Bong-Jun Kim and Yong Wook Lee and Byung-Gyu Chae and Sun Jin Yun},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.2314},
year = {2008}
}
备注
2 pages, 1 figure