应变与无序 VO2 薄膜中电子关联驱动的金属-绝缘体转变
材料科学
2020-11-11 v1
摘要
VO2 中的金属-绝缘体转变 (MIT) 以晶格、电子和轨道自由度之间的复杂相互作用为特征。本文通过温度依赖的 X 射线吸收近边结构 (XANES) 和共振光电子能谱 (ResPES)，研究了轨道层级的应变调控及其对 VO2 金属相宏观性质（如费米能级 (FL) 布居和金属性，即材料屏蔽电场的能力）的影响。我们证明，应变 VO2 中的 MIT 属于填充控制型，因此由电子关联效应产生。此外，我们还表明，在纳米结构 (NS) 无序 VO2 中，结构相变被抑制，其 MIT 由电子关联驱动。因此，对关联的精细调控可以实现对转变特征的精确控制和调谐。
引用
@article{arxiv.2006.07930,
title = {Electron Correlation driven Metal-Insulator transition in Strained and Disordered VO2 films},
author = {Alessandro D'Elia and Cesare Grazioli and Albano Cossaro and Bowen Li and Chongwen Zou and Javad Rezvani and Nicola Pinto and Augusto Marcelli and Marcello Coreno},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.07930},
year = {2020}
}