红外光谱与纳米成像揭示的 VO2 中的 Mott 相变
强关联电子
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
关联绝缘体中的电子因彼此间的库仑排斥而无法导电。当通过掺杂或加热在关联绝缘体中诱导绝缘体 - 金属相变时，所产生的导电态可能与常规金属中自由电子的特征截然不同。我们报道了典型关联绝缘体二氧化钒 (VO2) 的电子性质，其金属态可通过升高温度诱导产生。扫描近场红外显微镜使我们能够直接成像在绝缘体 - 金属相变 onset 处出现的纳米尺度金属液滴。结合远场红外光谱，数据揭示了金属液滴中存在准粒子质量发散的 Mott 相变。此处采用的实验方法为研究其他非均匀关联电子系统中的纳米尺度电荷动力学奠定了基础。
引用
@article{arxiv.0801.1171,
title = {Mott transition in VO2 revealed by infrared spectroscopy and nano-imaging},
author = {M. M. Qazilbash and M. Brehm and Byung-Gyu Chae and P. -C. Ho and G. O. Andreev and Bong-Jun Kim and Sun Jin Yun and A. V. Balatsky and M. B. Maple and F. Keilmann and Hyun-Tak Kim and D. N. Basov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.1171},
year = {2009}
}
备注
22 pages (including 3 figures)