近理想二氧化钒薄膜中关联驱动的绝缘体-金属转变
强关联电子
2016-03-23 v1
摘要
我们利用偏振和温度依赖的X射线吸收光谱，结合光电子显微镜、X射线衍射和电子输运测量，研究VO2中绝缘体-金属转变背后的驱动力。我们表明，在均匀应变单晶VO2薄膜中，绝缘能隙的坍塌以及伴随的晶体对称性变化，均先于V-V单重态二聚体内库仑关联的纯电子软化而发生。该过程在通常经由电子输运和X射线衍射测量所定义的转变温度以下 7 K (+/- 0.3 K) 处开始，并设定了驱动这种具有技术前景的材料中近室温绝缘体-金属转变的能量尺度。
引用
@article{arxiv.1503.07892,
title = {Correlation-driven insulator-metal transition in near-ideal vanadium dioxide films},
author = {A. X. Gray and J. Jeong and N. P. Aetukuri and P. Granitzka and Z. Chen and R. Kukreja and D. Higley and T. Chase and A. H. Reid and H. Ohldag and M. A. Marcus and A. Scholl and A. T. Young and A. Doran and C. A. Jenkins and P. Shafer and E. Arenholz and M. G. Samant and S. S. P. Parkin and H. A. Dürr},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.07892},
year = {2016}
}