VO2 中结构驱动的绝缘体-金属相变证据：基于超快速时间尺度的观察
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
我们应用超快速光谱技术，在时间域中建立结构效应与电子效应之间的层次关系，以阐明一个强相关电子系统的行为。我们讨论了典型的非磁性化合物 VO2，它在340 K 以下表现出单元膨胀、电荷局域化和金属-绝缘体相变。我们通过在低温绝缘体的价带中进行瞬时空穴光掺杂，启动金属相的形成。然而，金属-绝缘体相变相对于掺杂延迟，表现出与连接两个晶体结构相位的声子周期的一半相对应的瓶颈时间尺度。这一实验表明，这一争议性的绝缘体可能具有重要的类能带特性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0403214,
title = {Evidence for a Structurally-driven Insulator-to-metal Transition in VO2: a View from the Ultrafast Timescale},
author = {A. Cavalleri and Th. Dekorsy and H. H. Chong and J. C. Kieffer and R. W. Schoenlein},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0403214},
year = {2007}
}
备注
17 pages, 5 figures