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VO$_2$中可能的声子诱导电子双稳态及其在室温超快存储器中的应用

强关联电子 2020-04-27 v1 材料科学 量子物理

摘要

VO2_{2}是一种模型材料体系,在67^\circC发生金属-绝缘体转变。这在未来存储器件的超快开关中具有潜力,但通常需纯电子过程以避免缓慢的晶格响应。因此晶格振动的作用十分重要,但其尚不被充分理解且长期存在争议。我们结合超快光谱与从头算量子计算揭示了该转变的机制。我们识别出一种非典型的Peierls振动模式,其作为转变的触发因素。这排除了VO2_{2}中纯电子Mott转变的长期范式;然而,我们发现了一种新的电-声子路径,可在特定条件下以真正双稳态方式实现纯可逆电子转变。该转变非常反常,因其仅涉及类电荷激发且仅需微小核位移。我们的发现将推动未来超快电阻式非易失存储器件的设计。

关键词

引用

@article{arxiv.1901.08139,
  title  = {Possible phonon-induced electronic bi-stability in VO$_2$ for ultrafast memory at room temperature},
  author = {Cédric Weber and Swagata Acharya and Brian Cunningham and Myrta Grüning and Liangliang Zhang and Hang Zhao and Yong Tan and Yan Zhang and Cunlin Zhang and Kai Liu and Mark Van Schilfgaarde and Mostafa Shalaby},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1901.08139},
  year   = {2020}
}

备注

13 pages, 3 figures