通过微区拉曼散射在VO_2中观察到的Mott转变
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
在VO_2中清晰地揭示了不伴随结构相变（SPT）的强关联Mott一级金属-绝缘体转变（MIT）（或跳变），（New J. Phys. 6 (1004) 52, Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 242101, Physica B 369 (2005) 76）。为了在宽度为3微米、长度为20微米、类似棒状的窄VO_2基器件（图A）中重新确认MIT，我们同时测量了由约5微米激光束激发的微区拉曼散射声子峰（图B）以及I-V曲线中的MIT跳变（图C）。棒状器件的不均匀性较小。测量时限制了电流。即使在突然跳变之后，单斜相的声子峰仍然存在，并在超过10 mA时消失。在跳变后的拉曼测量过程中，跳变转变为负微分电阻类型。高电流引起焦耳热，该热量导致在68°C附近发生从单斜相到四方相的SPT。经过多次测量后，通过显微照相相机（图A）拍摄到没有击穿损伤的清洁薄膜表面。MIT（跳变）发生在SPT之前，并且不受SPT的影响，这是电子-声子相互作用的证据。因此，VO_2是Mott绝缘体而非Peierls绝缘体。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603546,
title = {Mott transition observed by micro-Raman scattering in VO_2},
author = {Hyun-Tak Kim and Byung-Gyu Chae and Bong-Jun Kim and Yong-Wook Lee and Sun-Jin Yun and Kwang-Yong Kang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603546},
year = {2007}
}
备注
Abstract of 2006 Japan Physical Society March Meeting