电化学栅极诱导 VO$_2$ 金属单斜相: 原位拉曼研究
强关联电子
2016-07-25 v1
摘要
我们报告了对电化学顶栅 VO 薄膜的原位拉曼散射研究，以解决栅极下金属-绝缘相转移（MIT）的问题。室温单斜绝缘相在栅极电压为2.6 V时转化为金属态。然而，随着电解质栅极，拉曼模数数量未发生变化，表明金属相仍为单斜结构。位于616 cm的高频拉曼模 A(7) 可归因于 VO 八面体中 2.06 \AA 键长的 V-O 振动，其随栅极电压增大而硬化；而位于654 cm的 B(3) 模则随之软化。这表明，随着栅极作用，单斜相中 VO 八面体的形变程度减小。在固定栅极电压为1 V（持续50分钟，导电性提升约50倍）和2 V（持续130分钟，导电性进一步提升约5倍）的时变拉曼数据中，观察到 A(7) 和 B(3) 高频拉曼模的类似变化。导电性缓慢变化伴随拉曼频率变化，表明金属化的主导机制更可能是由于施加电场导致氧空位形成的扩散控制。
引用
@article{arxiv.1606.08566,
title = {Metallic monoclinic phase in VO$_2$ induced by electrochemical gating: in-situ Raman study},
author = {Satyendra Nath Gupta and Anand Pal and D. V. S. Muthu and P. S. Anil Kumar and A. K. Sood},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.08566},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 6 figures