单斜 VO₂ 压力诱导金属化过程的证据
材料科学
2010-03-18 v1 强关联电子
摘要
在室温下，对单斜 VO₂ 进行了拉曼光谱及综合可见-近红外传输和反射测量，压力范围分别为 0-19 GPa 和 0-14 GPa。两者的压力依赖性表明，在 P*≈10 GPa 处系统具有显著稳定性。观察到 V 离子在单斜晶格中的细微结构变换，以及 P>P* 时金属化过程的启动（通过能隙填补实现）。与常压下 VO₂ 仅在 340 K 以上且伴随晶矿结构时表现为金属相不同，高压下出现一种耦合单斜结构的室温金属相，为 VO₂ 的物理学开辟了新的重要研究方向。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611281,
title = {Evidence of a pressure-induced metallization process in monoclinic VO$_2$},
author = {E. Arcangeletti and L. Baldassarre and D. Di Castro and S. Lupi and L. Malavasi and C. Marini and A. Perucchi and P. Postorino},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611281},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 3 figures