Ru掺杂VO2中的金属-绝缘体转变与反常晶格参数变化
材料科学
2022-07-14 v2 强关联电子
摘要
VO2由于其现象学及其潜在应用而数十年来备受关注，其在环境温度下的金红石晶体结构存在单斜畸变，并与金属-绝缘体转变（MIT）相耦合。相比之下，RuO2每个化学式单位多三个电子，是金属导体，并具有未畸变的金红石结构。本文报道了对Ru掺杂VO2（V1-xRuxO2）的系统研究；总体表征其晶体结构、磁性与电子性质以及热容。确定了与组分相关的威尔逊比。我们发现需要异常高的Ru掺杂值（x=0.8）才能在V1-xRuxO2中实现金属态。在金属材料中直至0.1 K未观察到超导性。我们提出了一种可能的理解，解释绝缘态如何在高Ru含量的V1-xRuxO2中存在。
引用
@article{arxiv.2203.14160,
title = {Metal-Insulator Transition and Anomalous Lattice Parameters Changes in Ru-doped VO2},
author = {Xin Gui and Robert J. Cava},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.14160},
year = {2022}
}
备注
23 pages, 10 figures