V3O5中金属-绝缘体转变附近的电动力学
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
通过红外光谱研究了V3O5单晶中由温度（T）和压力（P）诱导的金属-绝缘体转变（MIT）附近的电动力学。光导率的T和P依赖性可以在极化子情景内解释。在环境温度和压力下的绝缘相对应于强局域化的小极化子。同时，在环境压力下T诱导的金属相与显示非相干直流输运的极化子液体有关，而在室温下P诱导的金属相中，强局域化极化子与部分退局域化极化子共存。在T和P诱导的金属化过程中，电子谱权重在约1 eV的能量尺度上几乎恢复，从而支持了电子-晶格相互作用在V3O5金属-绝缘体转变中的关键作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701742,
title = {Electrodynamics near the Metal-to-Insulator Transition in V3O5},
author = {L. Baldassarre and A. Perucchi and E. Arcangeletti and D. Nicoletti and D. Di Castro and P. Postorino and V. A. Sidorov and S. Lupi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701742},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 5 figures