V_2O_3金属-绝缘相变的结构前驱
强关联电子
2009-11-11 v2
摘要
利用硬X射线吸收光谱学，研究了V_2O_3在金属-绝缘相变（MIT）附近的局部结构温度依赖性。结果表明，沿六方c轴的钴钒键距离在MIT处发生突变，符合预期。然而，这些键的倾斜角已在更高温度处持续增加，并在电子和磁相变起始处达到最大值。这些发现确认了最近的理论结果，即电子-晶格耦合对V_2O_3的MIT具有重要作用。我们的结果表明，基平面内的相互作用对MIT起决定性作用，轨道自由度通过改变杂化情况来驱动MIT。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508221,
title = {Structural precursor to the metal-insulator transition in V_2O_3},
author = {P. Pfalzer and G. Obermeier and M. Klemm and S. Horn and M. L. denBoer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508221},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 5 figures, 2 tables