VO_2 基器件中Mott相变的温度依赖性与控制
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
当对制作于VO_2薄膜上制成的两种端口器件施加电场时，观察到的金属-绝缘体相变(MIT)的临界电压随温度升高而降低，最高可达334K。在MIT温度附近， abrupt电流跳变消失。这表明温度引起的abrupt MIT机制与电场引起的MIT机制相同。电流跳变的大小(大电流)随外部电阻的增加而减小，这在将abrupt MIT应用于器件应用方面是一个重要观察。此外，MIT的温度和电阻依赖性无法通过介质击穿解释尽管一种称为击穿的电流跳变与abrupt MIT中观察到的电流跳变相似。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0312083,
title = {Temperature dependence and control of the Mott transition in VO_2 based devices},
author = {Hyun-Tak Kim and B. G. Chae and D. H. Youn and S. L. Maeng and K. Y. Kang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312083},
year = {2007}
}
备注
3 Pages, 4 Figures