基于 V$_2$O$_3$ 的莫特绝缘体器件中的非热光辅助电阻塌缩
强关联电子
2021-04-14 v2 材料科学
应用物理
摘要
莫特绝缘体中的绝缘体-金属转变属于莫特电子学（Mottronics）家族的一类新型电子器件的关键机制。目前大量研究工作致力于开发特定的控制方案，通常基于电压、应变、压力和光激发的应用。最终目标是对电子相变实现完全控制，从而对阻变器件等性能产生显著影响。在此，我们研究了外部电压与超短光脉冲激发对基于 VO 外延薄膜的单个莫特电子器件的同时作用。实验结果结合热问题的有限元模拟表明，光激发与外部电偏压的组合驱动了一种易失性电阻率下降，其超出了激光与焦耳热二者效应的叠加。我们的结果对开发关联材料中阻变转变的非热控制方案具有影响。
引用
@article{arxiv.2012.15255,
title = {Non-thermal light-assisted resistance collapse in a V$_2$O$_3$-based Mott-insulator device},
author = {Andrea Ronchi and Paolo Franceschini and Pia Homm and Marco Gandolfi and Gabriele Ferrini and Stefania Pagliara and Francesco Banfi and Mariela Menghini and Jean-Pierre Locquet and Claudio Giannetti},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.15255},
year = {2021}
}