窄带隙 Mott 绝缘体中的非热纯电子电阻跃迁
强关联电子
2014-07-09 v1 材料科学
摘要
电场作用下的 Mott 绝缘体 - 金属跃迁目前正受到众多基础与应用研究的关注。这一令人困惑的效应涉及关联系统中的非平凡非平衡效应，确实在一类新型电子存储器（即 Mott 存储器）的运行中发挥作用。然而，在经历此类跃迁的 Mott 绝缘体中，电子效应与热效应难以区分。本文报道了对典型 Mott 绝缘体在电场下的性质与一个基于现实二维电阻网络构建的模型之间的比较，该模型能够同时捕捉热效应和电子跃迁。针对窄带隙 Mott 绝缘体系列 AM4Q8（A = Ga 或 Ge；M = V、Nb 或 Ta；Q = S 或 Se）进行的这一比较明确证实，实验中观察到的电场下电阻跃迁源于纯电子机制。
引用
@article{arxiv.1407.2038,
title = {Non thermal and purely electronic resistive transition in narrow gap Mott insulators},
author = {P. Stoliar and M. Rozenberg and E. Janod and B. Corraze and J. Tranchant and L. Cario},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.2038},
year = {2014}
}
备注
Accepted for publication in Physical Review B