莫特绝缘体GaTa$_{4}$Se$_{8}$中电脉冲诱导的电子拼图
强关联电子
2013-04-30 v2
摘要
继最近发现GaTaSe中电场诱导的绝缘体-金属转变之后，我们对这种窄带隙莫特绝缘体的原始（绝缘）和转变后（导电）晶体进行了详细的扫描隧道显微镜/光谱学研究。光谱图显示，原始样品是空间均匀的绝缘体，而转变后的样品在纳米尺度上显示出复杂的电子图案，由浸没在原始绝缘基质中的金属和超绝缘斑块组成。令人惊讶的是，两种斑块都伴随着强烈的局部地形膨胀，从而证明了这种金属-绝缘体转变中涉及强的电子-晶格耦合。最后，利用跨STM隧道结产生的强电场，我们展示了即使在室温下也能局部触发金属-绝缘体转变的可能性。
引用
@article{arxiv.1205.4548,
title = {Electric pulse induced electronic patchwork in the Mott insulator GaTa$_{4}$Se$_{8}$},
author = {Vincent Dubost and Tristan Cren and François Debontridder and Dimitri Roditchev and Cristian Vaju and Vincent Guiot and Laurent Cario and Benoît Corraze and Etienne Janod},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.4548},
year = {2013}
}
备注
This paper has been strongly modified and a new version will be submitted soon