铁电栅控 MoS$_2$ 晶体管中电致非易失性金属-绝缘体相变
应用物理
2018-02-14 v2 材料科学
摘要
我们展示了在 MoS 晶体管中电致的非易失性金属-绝缘体相变。将单晶外延生长的 PbZrTiO（PZT）置于由 MoS 薄膜制成的场效应晶体管的栅极中。当对该铁电栅控晶体管施加栅极电压时，可以观察到从绝缘体到金属以及反之的明显转变。重要的是，当撤去栅极电压时，铁电体中的剩余极化可以使 MoS 保持在原始相态，从而提供一种非易失性状态。因此，只需对晶体管施加栅极电压即可写入、擦除或保留金属相或绝缘相。
引用
@article{arxiv.1705.06375,
title = {Electrically Induced, Non-Volatile, Metal Insulator Transition in a Ferroelectric Gated MoS$_2$ Transistor},
author = {Zhongyuan Lu and Claudy Serrao and Asif I. Khan and James D. Clarkson and Justin C. Wong and Ramamoorthy Ramesh and Sayeef Salahuddin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.06375},
year = {2018}
}