由单晶外延铁电体直接栅控的非易失性MoS$_{2}$场效应晶体管
应用物理
2017-08-15 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
我们展示了非易失性、n型、背栅MoS晶体管，直接放置在外延生长的单晶PbZrTiO (PZT)铁电体上。该晶体管显示出不错的开启电流（19 m）、高开关比（10）以及亚阈值摆幅（SS ~ 92 mV/dec），以100 nm厚PZT层作为背栅氧化物。重要的是，铁电极化可直接控制沟道电荷，显示出清晰的反时针迟滞。我们通过直接的时间相关测量自洽地确认了铁电体的翻转及相应的沟道电流变化。我们的结果表明，有可能在极性表面上直接获得晶体管操作，因此应该可以将二维电子学与单晶功能氧化物集成。
引用
@article{arxiv.1705.03746,
title = {Non Volatile MoS$_{2}$ Field Effect Transistors Directly Gated By Single Crystalline Epitaxial Ferroelectric},
author = {Zhongyuan Lu and Claudy Serrao and Asif Islam Khan and Long You and Justin C. Wong and Yu Ye and Hanyu Zhu and Xiang Zhang and Sayeef Salahuddin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.03746},
year = {2017}
}