玻璃基底上带有薄膜晶体管型结构的红外透射率可调金属-绝缘体转换器件
材料科学
2017-09-19 v1
摘要
通过在玻璃基底上采用热致变色二氧化钒(VO2)作为有源层、以水浸润玻璃作为栅绝缘体的三端薄膜晶体管型器件，演示了红外(IR)透射率可调的金属-绝缘体转换。交替施加正/负栅压可诱导VO2通道的可逆质子化/去质子化，并利用VO2的金属-绝缘体相变以非易失方式在室温下同时实现了面电阻两个数量级和红外透射率49%的调制。该器件可在全固态结构中通过室温质子化操作，因此将作为先进智能窗口为未来节能技术提供新途径。
引用
@article{arxiv.1705.00130,
title = {Infrared-transmittance tunable metal-insulator conversion device with thin-film-transistor-type structure on a glass substrate},
author = {Takayoshi Katase and Kenji Endo and Hiromichi Ohta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.00130},
year = {2017}
}
备注
To appear in APL Mater. (2017)