利用多太赫兹光谱研究 VO2 中的超快绝缘体-金属相变
强关联电子
2015-03-19 v1
摘要
利用多太赫兹探测脉冲，在不同温度和激发通量下研究了 VO2 中的超快光致绝缘体-金属相变。光谱分辨的中红外响应使我们能够以 40 fs 的时间分辨率分别追踪晶格和电子自由度的动力学。发现将系统驱动至长寿命金属态的光学泵浦脉冲的临界通量随温度降低而增加。在所有测量条件下，我们观察到光学声子模的本征频率受到其与 6.1 THz 处 V-V 二聚体的相干波包运动的非谐耦合所诱导的调制。此外，我们发现电子响应对相干二聚体振荡存在弱二次耦合，导致电子电导率在波包运动频率的两倍处受到调制。这些发现在一个基于绝缘态中钒二聚体局部光激发近似的定性模型框架内进行了讨论。
引用
@article{arxiv.1104.2984,
title = {Ultrafast Insulator-Metal Phase Transition in VO2 Studied by Multiterahertz Spectroscopy},
author = {A. Pashkin and C. Kübler and H. Ehrke and R. Lopez and A. Halabica and R. F. Haglund, and R. Huber and A. Leitenstorfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.2984},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 8 figures submitted to Physical Review B