亚稳MoS$_2$薄层中以电场驱动的结构与电子相变

C. Shang; B. Lei; W. Z. Zhuo; Q. Zhang; C. S. Zhu; J. H. Cui; X. G. Luo; N. Z. Wang; F. B. Meng; L. K. Ma; C. G. Zeng; T. Wu; Z. Sun; F. Q. Huang; X. H. Chen

doi:10.1103/PhysRevB.100.020508

亚稳MoS$_2$薄层中以电场驱动的结构与电子相变

超导电性 2019-08-07 v1 材料科学

作者: C. Shang , B. Lei , W. Z. Zhuo , Q. Zhang , C. S. Zhu , J. H. Cui , X. G. Luo , N. Z. Wang , F. B. Meng , L. K. Ma , C. G. Zeng , T. Wu , Z. Sun , F. Q. Huang , X. H. Chen

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摘要

过渡金属二硫属化物拥有多种结构以及可由结构变化、元素替代、离子或分子插层等调节的电子性质。然而，关于该族亚稳相的知识非常有限，特别是结构变化的精确调控及伴随的电子性质演化。在此，基于一种新开发的以固体离子导体为栅介质的场效应晶体管，我们报道了在亚稳MoS $_2$ 薄层中由电场驱动的可控结构与电子相变。我们发现，在电场调控的锂插层作用下，1T $^{'''}$ -MoS $_2$ 薄层的亚稳结构可转变为另一种1T $^{'}$ 型的亚稳结构。此外，在电场控制的锂插层和脱插层循环中，亚稳1T $^{'}$ 相持续存在，并且电子性质可被可逆地操控，从绝缘的1T $^{'}$ -LiMoS $_2$ 到超导的1T $^{'}$ -MoS $_2$ 电阻发生四个数量级的显著变化。这种可逆且剧烈的电子性质变化为开发在电场下具有高度可调特性的新型纳米器件提供了引人入胜的机遇。

关键词

亚稳MoS$_2$ 电场驱动相变固体离子导体栅锂插层超导转变场效应晶体管

引用

@article{arxiv.1902.09358,
  title  = {Structural and electronic phase transitions driven by electric field in metastable MoS$_2$ thin flake},
  author = {C. Shang and B. Lei and W. Z. Zhuo and Q. Zhang and C. S. Zhu and J. H. Cui and X. G. Luo and N. Z. Wang and F. B. Meng and L. K. Ma and C. G. Zeng and T. Wu and Z. Sun and F. Q. Huang and X. H. Chen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1902.09358},
  year   = {2019}
}

备注

5 pages, 4 figures, supplementary information is not included

亚稳MoS$_2$薄层中以电场驱动的结构与电子相变

摘要

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