调控 MoX$_2$ 双层相变的临界锂插层浓度
材料科学
2021-07-28 v1
摘要
过渡金属硫族化物（TMDs），如 MoS，已知在锂插层时会发生结构相变以及电导率变化。这些性质使它们成为可用于电化学器件中的电荷可调离子插入材料的候选者。本工作中，我们研究了 X=S、Se 或 Te 的 H 与 T 锂插层 MoX 双层的相稳定性与电子结构。结合第一性原理计算与经典及机器学习建模方法，我们发现对于所有 X，H 相在低锂浓度下更稳定，且发生 TH 转变的临界锂浓度随 X 质量增大而降低。此外，两相结合自由能对锂插入的敏感性随硫族原子 X 原子质量增大而减弱。虽然电导率在低浓度时随离子浓度增大而增大，但我们未观察到从 H 到 T 相变处的（正）电导率跳跃。
引用
@article{arxiv.2107.12522,
title = {Tuning the critical Li intercalation concentrations for MoX$_2$ bilayer phase transitions},
author = {C. D. Spataru and M. D. Witman and R. E. Jones},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.12522},
year = {2021}
}
备注
34 pages, 15 figures, accepted for publication in Phys. Rev. Materials